המהפכה השקטה של אינטל: האם ה-ZAM יפתור את המחסור בזיכרון ל-AI?

בשיתוף פעולה עם סופטבנק היפנית, אינטל מציגה אב-טיפוס לזיכרון בנפח חסר תקדים של 512GB, שנועד להחליף את טכנולוגיית ה-HBM היקרה והמורכבת • האם הפעם זה יסתיים אחרת מפרויקט ה-Optane?
אינטל | צילום: שאטרסטוק

אינטל | צילום: שאטרסטוק

בתמונה שנחשפה לאחרונה, נראה ג'ושוע פריימן, מנהל טכנולוגיות בכיר באינטל, כשהוא מחזיק במה שעשוי לשנות לחלוטין את חוקי המשחק בתעשיית השרתים. מדובר באב-טיפוס של טכנולוגיה חדשה ומסקרנת בשם ZAM, שהוצגה בכנס של אינטל ביפן לפני מספר ימים.

לפני מספר ימים הוצגה בכנס של אינטל ביפן טכנולוגיה חדשה ומסקרנת בשם ZAM. כדי להבין מה מיוחד בה, צריך להסביר קודם את הטכנולוגיה אותה היא נועדה להחליף – HBM.

שרתי בינה מלאכותית זקוקים לכמות עצומה של זיכרון ראם נגיש, עליו הם מאחסנים את כל מיליארדי הפרמטרים של מודל השפה בו זמנית, וכך הם יכולים להשתמש בו כדי לספק תשובות למשתמשים. הצורך בנפח גבוה במיוחד של זיכרון ראם לא מאפשר להשתמש בזכרונות ראם קלאסיים, ולכן נעשה שימוש ב-HBM.

ה-HBM הוא למעשה ערימה של זכרונות ראם זו על זו, כשהמידע עובר ביניהם דרך אלפי חורים זעירים שנקדחים דרכם במאונך בזהירות וממולאים בנחושת. קדיחת החורים היא תהליך עדין שמסתיים לא פעם בנזק לשבב והשלכה שלו לפח.

מסביב לכל חור קידוח צריך לשמור על שוליים קטנים שימנעו יצירת סדק, מה שמקטין את השטח שנותר לרכיבי זיכרון. בנוסף, ערוצי המידע האנכיים מתחממים, והחום נכלא במרכז קוביית ה-HBM ומתקשה להשתחרר.

סופטבנק | צילום: שאטרסטוק
סופטבנק | צילום: שאטרסטוק

הסיבות האלו הובילו לכך ששבב HBM מהדור המתקדם ביותר שבפיתוח יכול להכיל עד 64GB ראם בלבד. את השבבים האלו מייצרות בעיקר סמסונג, SK Hynix ומיקרון, והתלות ביצרניות האלו הובילה למחסור ולזינוק בלתי פוסק במחירים.

אינטל חברה לסופטבנק כדי להציע פתרון טכנולוגי מעניין. בזיכרון ה-ZAM החדש, שכבות הזיכרון מהודקות היטב זו לזו, והחורים נקדחים באלכסון בין השכבות במקום מלמעלה למטה בקו ישר.

זה נראה שינוי מינורי, אבל הוא מאפשר לצמצם מאוד את מספר הערוצים, להקטין את שולי החור הנדרשים, לשחרר את החום בצורה יעילה יותר, ולהקטין את הסיכוי לשבירה של השבב בתהליך הקידוח.

אינטל טוענת כי בצורה כזו ניתן לדחוס עד 512GB של זיכרון ראם במארז יחיד, ביעילות אנרגטית טובה יותר ובמספר שבבים תקולים נמוך יותר בתהליך הייצור.

מנכ"ל אינטל, ליפ-בו טאן | צילום: רויטרס
מנכ"ל אינטל, ליפ-בו טאן | צילום: רויטרס

לאינטל ניסיון לא מוצלח בתחום של פיתוח זכרונות, כשפרויקט הOptane שלה הסתיים בהפסד של מיליארדי דולרים. הפעם היא מציעה את התכנון בלבד, כשאת מימון הייצור תספק סופטבנק היפנית, ואת הייצור תבצע Saimemory – חברה בבעלות סופטבנק.

את הטכנולוגיה הזו פיתחה אינטל בפרויקט מחקר משותף שלה עם משרד האנרגיה האמריקאי.

אינטל מאותגרת כרגע, והעובדה שהיא לא יכולה לקחת על עצמה את הסיכון הכרוך בייצור, מובילה לכך שאלו שייהנו מפירות המחקר יהיו בעיקר היפנים.

שתפו כתבה זו:

כותרות הכלכלה

guest
0 תגובות
משוב מוטבע
הצג את כל התגובות

עקבו אחרינו ברשתות החברתיות

עוד כתבות מעניינות

טען עוד כתבות